关于单片机芯片逆向分析

 本问只是从理论分析上介绍一下单片机芯片逆向分析的一些步骤,实际操作有有对所需的化学药品相当的了解,熟悉使用方法,请不要自己轻易的操作,以免造成对人体不必要的伤害。在单片机解密行业,很多做芯片解密的人都不是很在乎保护自己,以至于让那些化学药品伤害到了自己的身体,甚至造成了严重的伤残,所以看过本文,我们提醒不要轻易的尝试。

 

  凡是从事模拟集成电路设计的人都应该对逆向工程不会感到陌生。逆向工程的英文名称就是所谓的Reverse Engineering,由于多方面的原因,国内在模拟集成电路这方面的底子实在是太薄弱了,所以说逆向应该算是大多数模拟集成电路工程师接触实际模拟电路积累经验的唯一途径了。而我正在逆向的这块芯片是两层金属,一层多晶的结构,如果我要想了解它的实际电路结构就必须得到每一层的版图,所以我一共得拍3层照片,以下是具体操作步骤。

 

 

首先是把芯片放到烧杯里,戴上塑胶手套倒入少量浓硫酸,加热烧杯让加热后的浓硫酸把芯片的塑料封装给去掉,等烧杯冷却后把浓硫酸倒掉,往烧杯中加水洗干净剩下的浓硫酸,把芯片夹出来洗干净,然后再把芯片放到另一个烧杯中加入少量无水酒精让它吸水(每一步都要用到),过一会就可以拿到显微镜下面去拍照了。我这次每一层都是用的500倍来拍的,具体的放大倍数要根据芯片的实际情况来调整,拍完照后拼图可以用Photoshop Elements也有其它诸如Photoline之类的软件,拍好过后这第一步就算完成了,第一步拍的是最上层的Metal2

 

第二步相应的就是拍Metal1了,也就是从顶层往下的第二层版图,首先要用10倍的水稀释HF(氢氟酸),然后把芯片放到倒有上述HF(氢氟酸)溶液的烧杯里去二氧化硅,浸泡时间可以根据经验来,但是最好不要太长,当看到有一定气泡从芯片表面冒出来了后,再过一会就可以用镊子将芯片取出来了,把芯片洗干净,然后用个小烧杯倒入适量磷酸,把芯片放到这个小烧杯里面,再把这个小烧杯放到一个加了水的大烧杯里,就可以进行水浴了,水浴20分钟左右,这时磷酸就把Metal2给去掉了,剩下的就是Metal1了,后面的清洗和拍照步骤就跟第一步一模一样了。

 

第三步就只剩下拍最后的一层,Poly层了,前面步骤基本也跟第二步一样,用10倍水稀释的HF(氢氟酸)溶液去掉,然后再用磷酸水浴,这次煮的时间可能要长一点,至少半个小时,目的是为了把Metal2给煮干净,但是同时也要注意芯片在HF(氢氟酸)溶液中浸泡的时间不要泡太长了,否则后面煮的时候可能会引起Poly的脱落,后面的步骤也一样,洗干净后拍照。

SiO2

 

虽然说看似并不复杂,但是真正想要做好却还真不容易,因为拍出来的照片质量将直接影响提图的效率,如果拍出来的照片清晰自然提图就会变得很轻松,反之如果拍得不好,后面提图将会变得异常痛苦,因此在拍照的时候千万不要一味图快而牺牲照片的质量,俗话说欲速则不达,细节决定成败,做IC又何尝不是如此。



相关文章
下一篇:芯片仿制
芯片解密 | IC分析 | 抄板样机 | FIB设备与服务 | 解密之窗 | 联系我们 | 公司简介